L’essentiel
Le Samsung 9100 PRO 4To est le SSD NVMe haut de gamme de Samsung en PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0, avec des débits séquentiels qui atteignent 14 800 Mo/s en lecture et 13 400 Mo/s en écriture. Il s'adresse aux professionnels, créateurs et power users qui manipulent des fichiers 4K/8K, des pipelines IA ou des environnements de développement exigeants. 4 Go de cache LPDDR4X, 2 400 To TBW et chiffrement AES 256 bits : une référence sans compromis.
Samsung
9100 PRO 4To M.2 NVMe Gen5
- Réf. 04904337
- EAN 8806095811703
- Réf. constr. MZ-VAP4T0BW
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Fiche détaillée du produit
Caractéristiques
| Interface Disque | M.2 |
|---|---|
| Capacité stockage | 4To |
| NVMe PCIe | PCIe Gen5 |
| Hauteur | 2,28 mm |
| PCIe carte d'Extension | PCIe 5.0 |
| Type de Refroidissement | Passif |
| Interface | PCI Express 5.0 |
| Caractéristiques | |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
|---|---|
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 4 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Interface | PCI Express 5.0 |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND TLC |
| composant pour | PC/ordinateur portable |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Vitesse de lecture | 14800 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 13400 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 2200000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 2600000 IOPS |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Puissance | |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
| Consommation électrique moyenne (lecture) | 9 W |
| Consommation électrique moyenne (écriture) | 8,2 W |
| Poids et dimensions | |
| Largeur | 80,2 mm |
| Profondeur | 2,38 mm |
| Hauteur | 22,1 mm |
| Poids | 9 g |
| Informations sur l'emballage | |
| Type d'emballage | Boîte |
| Conditions environnementales | |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
Le SSD PCIe 5.0 le plus rapide de Samsung
Avec 14 800 Mo/s en lecture séquentielle et 13 400 Mo/s en écriture, le 9100 PRO double les performances des meilleurs SSD Gen 4 disponibles sur le marché. En aléatoire, il atteint 2 200 000 IOPS en lecture et 2 600 000 IOPS en écriture, des chiffres qui font la différence sur les workloads à accès aléatoires intensifs comme les bases de données, la virtualisation ou les outils IA locaux. C'est le plafond de vitesse accessible en M.2 2280 aujourd'hui.

4 To pour ne jamais choisir entre vitesse et capacité
La version 4 To du 9100 PRO permet de stocker projets vidéo en RAW, modèles d'IA, bibliothèques de jeux et environnements de travail sur un seul disque rapide. Fini les compromis entre un SSD système de 1 To et un disque secondaire plus lent : toute ta chaîne de travail tourne à pleine vitesse sur le même support. Une capacité adaptée aux stations de montage, aux serveurs de rendu et aux builds enthusiast.

V-NAND TLC Samsung et cache LPDDR4X dédié
Le 9100 PRO s'appuie sur la V-NAND TLC de Samsung en fabrication maison, associée à 4 Go de mémoire cache LPDDR4X pour maintenir des performances stables sur les longues sessions de transfert. Contrairement aux SSD sans cache DRAM, les débits restent cohérents même lors d'écritures massives et prolongées, sans chute de performance en milieu de copie.
Endurance et sécurité niveau professionnel
Le TBW (Total Bytes Written) du 9100 PRO 4To est de 2 400 To, ce qui représente des années d'utilisation intensive sans atteindre la limite d'endurance. Le SSD intègre un chiffrement matériel AES 256 bits pour protéger les données au repos, sans impact sur les performances. Samsung couvre cette référence par une garantie constructeur de 5 ans.
Compatible PS5 et plateformes PCIe 5.0
Le facteur de forme M.2 2280 single-sided le rend compatible avec les emplacements PS5 (avec dissipateur adapté), les cartes mères Intel et AMD équipées d'un slot PCIe 5.0 x4, et les workstations haut de gamme. Sur plateforme PCIe 4.0, le SSD fonctionne en rétrocompatibilité à des débits Gen 4. Un investissement pérenne qui reste pertinent sur plusieurs générations de plateformes.
CARACTÉRISTIQUES CLÉS
Marque : Samsung
Gamme : 9100 PRO
Référence : MZ-VAP4T0BW
Capacité : 4 To
Format : M.2 2280
Interface : PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0
Lecture séquentielle : jusqu'à 14 800 Mo/s
Écriture séquentielle : jusqu'à 13 400 Mo/s
IOPS lecture : jusqu'à 2 200 000
IOPS écriture : jusqu'à 2 600 000
Cache : 4 Go LPDDR4X
NAND : Samsung V-NAND TLC
TBW : 2 400 To
Chiffrement : AES 256 bits
Garantie : 5 ans

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